檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "郭東昊".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="朱瑾"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
金屬氧化物電阻式隨機存取記憶體(RRAM)是下一代非揮發性記憶體中最有潛力得候選人之一,其研究和發展引起相當大的關注,由於具有低成本、低耗能、操作速度快、保存資料能力佳等優點外,結構簡單也是一大特色…
2
以不鏽鋼(SS)作為基板的可撓式銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池由於其有前景的應用潛力,已引起相當大的關注。但其有害的基板成分在高溫製程中會擴散進入CIGS吸收層,限制了它的性能。薄膜金屬玻璃(TFM…
3
具有緊密排列結構之奈米金屬顆粒薄膜,在光學、電子元件、生醫材料及感測器領域上皆有很大之應用性,而此類薄膜的製作方法也非常多元,諸如氣相沉積、蝕刻法、濕式化學法等。在本研究中,我們選擇使用Langmu…
4
本論文主要研究方向為利用氧化物(鈧酸鈥,HoScOx)非晶薄膜作為擴散阻障層以提升銅鍍層在矽上的高溫穩定性質。結果顯示HoScOx(x=3~4)具有高溫穩定性且為非晶薄膜,其結晶溫度高達900℃以上…
5
電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用,由於其結構簡單可應用於高密度積體電路,也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS),並且具有低操作功率、開…
6
本研究利用傳統固態反應法並藉由添加不同混合比例的氧化鑭 (La2O3) 或氧化釤 (Sm2O3) 製備含鑭及含釤之鈦酸鋇靶材,主要以添加物的混合莫爾比例來區分,依序為1%La、3%La、5%La、7…
7
目前市面上已被廣泛使用的記憶體,如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等,在元件的尺寸大小及密度都已達…