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    1

    可應用於電阻式隨機存取記憶體之厚度低於10奈米(HfCuAlTi)Ox薄膜的無電致成形電阻轉換特性研究
    • 材料科學與工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 王亭予 指導教授: 朱瑾
    • 金屬氧化物電阻式隨機存取記憶體(RRAM)是下一代非揮發性記憶體中最有潛力得候選人之一,其研究和發展引起相當大的關注,由於具有低成本、低耗能、操作速度快、保存資料能力佳等優點外,結構簡單也是一大特色…
    • 點閱:218下載:3
    • 全文公開日期 2020/07/13 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    金屬玻璃薄膜做為CIGS太陽能電池中擴散阻障層的可行性研究
    • 材料科學與工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 薛靈駿 指導教授: 朱瑾
    • 以不鏽鋼(SS)作為基板的可撓式銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池由於其有前景的應用潛力,已引起相當大的關注。但其有害的基板成分在高溫製程中會擴散進入CIGS吸收層,限制了它的性能。薄膜金屬玻璃(TFM…
    • 點閱:286下載:0
    • 全文公開日期 2020/07/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    利用Langmuir-Blodgett法製備之奈米金顆粒與奈米金棒薄膜應用於表面增強紅外吸收光譜之研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 吳泳翰 指導教授: 今榮東洋子 朱瑾
    • 具有緊密排列結構之奈米金屬顆粒薄膜,在光學、電子元件、生醫材料及感測器領域上皆有很大之應用性,而此類薄膜的製作方法也非常多元,諸如氣相沉積、蝕刻法、濕式化學法等。在本研究中,我們選擇使用Langmu…
    • 點閱:208下載:2

    4

    一種可做為銅矽間阻障層之超薄非晶氧化物薄膜的性質研究
    • 材料科學與工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 余東原 指導教授: 朱瑾
    • 本論文主要研究方向為利用氧化物(鈧酸鈥,HoScOx)非晶薄膜作為擴散阻障層以提升銅鍍層在矽上的高溫穩定性質。結果顯示HoScOx(x=3~4)具有高溫穩定性且為非晶薄膜,其結晶溫度高達900℃以上…
    • 點閱:321下載:5

    5

    電阻轉換非揮發性記憶體元件之無電致成形氧化鋯基薄膜的製備與特性研究
    • 材料科學與工程系 /102/ 博士
    • 研究生: Berhanu-Tulu Kacha 指導教授: 朱瑾
    • 電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用,由於其結構簡單可應用於高密度積體電路,也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS),並且具有低操作功率、開…
    • 點閱:474下載:4
    • 全文公開日期 2019/07/08 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 2019/07/08 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以射頻磁控濺鍍法沉積鈦酸鋇薄膜及其性質分析
    • 應用科技研究所 /98/ 博士
    • 研究生: 吳政惠 指導教授: 朱瑾
    • 本研究利用傳統固態反應法並藉由添加不同混合比例的氧化鑭 (La2O3) 或氧化釤 (Sm2O3) 製備含鑭及含釤之鈦酸鋇靶材,主要以添加物的混合莫爾比例來區分,依序為1%La、3%La、5%La、7…
    • 點閱:334下載:10

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    可應用於電阻式隨機存取記憶體之鈧酸鈥薄膜的製備與特性研究
    • 材料科學與工程系 /101/ 博士
    • 研究生: 張雯琪 指導教授: 朱瑾
    • 目前市面上已被廣泛使用的記憶體,如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等,在元件的尺寸大小及密度都已達…
    • 點閱:302下載:2
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